无锡新洁能专业从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售,是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。目前(20V-250V)大功率Trench-MOS器件、(75V-150V)Super-Trench-MOS器件、(600V-900V)SJ-MOS器件、(1200V-1350V)IGBT已量产与销售, 并获得多项国家和国际专利。 公司产品已获多家国际知名公司的认证和大批量使用。公司成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件与工艺设计的技术优势,专注与国际领先的8’’芯片代工厂、封装与测试代工厂的紧密合作,通过保证产品在生产和测试过程中的质量控制,确保大批量生产中,产品的持续优质和稳定供货。
无锡新洁能是中国功率MOS器件研发能力与实力最强、功率MOS器件品种最齐全、代工生产量(按8英寸晶圆统计)最大的设计公司,同时也是国内第一家研发成功并上量销售超结-MOSFET(SJ-MOSFET)的设计公司。
无锡新洁能是江苏省重点支持的半导体大功率器件设计高新技术企业。目标成为客户全球最具价值的功率半导体器件与服务供应商。
类型 | 型号 | 描述 | 操作 |
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MOSFET | NCE7190 | 结构:N沟道;封装:TO-220;VDS = 71V;ID =90A; | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE60H10 | 结构:N沟道;封装:TO-220;VDS =60V;ID =100A; | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE70R180F | 结构:超结MOSFET;封装:TO-220F;VDS=700V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE65R180 | 结构:超结MOSFET;封装:TO-220;VDS=650V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE65R180F | 结构:超结MOSFET;封装:TO-220F;VDS=650V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE65R180T | 结构:超结MOSFET;封装:TO-247;VDS=650V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE70R260F | 结构:超结MOSFET;封装:TO-220F;VDS=700V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE65R260 | 结构:超结MOSFET;封装:TO-220;VDS=650V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE65R260F | 结构:超结MOSFET;封装:TO-220F;VDS=650V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE70R360F | 结构:超结MOSFET;封装:TO-220F;VDS=700V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE65R360 | 结构:超结MOSFET;封装:TO-220;VDS=650V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE65R360F | 结构:超结MOSFET;封装:TO-220F;VDS=650V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE65R360K | 结构:超结MOSFET;封装:TO-252;VDS=650V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE60R360D | 结构:超结MOSFET;封装:TO-263; VDS=600V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |
MOSFET | NCE80R1K2I | 结构:超结MOSFET;封装:TO-251;VDS=800V;VGS=±30V | 资料 | 购买 |